Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBG20PBF, 1 кВ, 1,4 А, TO220AB, набір 20 шт.

Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Vishay IRFBG20PBF у корпусі TO220AB. Призначені для промислової та аматорської електроніки, де потрібна надійна комутація високої напруги.

• Напруга дрена-джерела: 1 кВ
• Постійний струм дрена: 1,4 А
• Імпульсний струм: 5,6 А
• Розсіювана потужність: 54 Вт
• Корпус: TO220AB (THT монтаж)
• Кількість у наборі: 20 шт.

Висока напруга та струм

Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 1 кВ та постійний струм дрена 1,4 А. Це дозволяє використовувати їх у схемах із високим рівнем напруги, таких як імпульсні блоки живлення або інвертори. Імпульсний струм може сягати 5,6 А, що забезпечує стабільну роботу при короткочасних пікових навантаженнях.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 54 Вт. Такий показник дозволяє транзисторам працювати без перегріву в умовах значного навантаження, особливо при використанні радіаторів. Корпус TO220AB зручний для монтажу на платі та кріплення системи охолодження.

Висока напруга затвора та низький опір каналу

Транзистори розраховані на напругу затвор-джерело ±20 В, що забезпечує сумісність із багатьма драйверами та логічними схемами керування. Опір у стані провідності становить 11 Ом, що визначає теплові втрати при комутації. Заряд затвора 38 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до потужності керуючого сигналу. Ці параметри важливі для стабільної роботи схеми при заданих режимах.