Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBE30PBF, 800 В, 2,6 А, TO220AB, комплект 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBE30PBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з багатим каналом, розрахований на високу напругу 800 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачений
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Струм стоку: 2,6 А, імпульсний струм: 16 А
• Потужність розсіювання: 125 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж: THT
• Комплектація: 10 шт.

Висока напруга та струм

Напруга між стоком та витоком становить 800 В. Номінальний струм стоку дорівнює 2,6 А, а імпульсний струм — 16 А.

Теплові характеристики та опір

Потужність розсіювання становить 125 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 3 Ом. Напруга на затворі обмежена ±20 В.

Заряд затвора та монтаж

Заряд затвора становить 78 нКл. Корпус TO220AB та тип монтажу THT (скрізний монтаж) вказані в характеристиках.