Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBC40PBF, 600 В, 3,9 А, TO220AB, набір 20 шт.

Набір із 20 транзисторів Vishay IRFBC40PBF типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на друкованих платах (THT) у пристроях із напругою до 600 В. Транзистори мають уніполярну структуру та канал збагачувального типу.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 3,9 А (постійний), 25 А (імпульс)
• Розсіювана потужність: 125 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Набір: 20 штук

Висока напруга та струм

Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 600 В та постійний струм дрена 3,9 А. Це дозволяє використовувати їх у силових ланцюгах із високими вимогами до ізоляції та навантаження. Канал збагачувального типу забезпечує стабільне відкривання при подачі керуючого сигналу.

Потужність розсіювання

Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт, що забезпечує стабільну роботу при значних навантаженнях. Для ефективного відведення тепла рекомендується використання радіаторів. Корпус TO220AB спрощує монтаж та кріплення до радіатора.

Імпульсні характеристики та опір

Струм дрена в імпульсі досягає 25 А, що робить транзистори придатними для роботи в імпульсних режимах. Опір у стані провідності 1,2 Ом та заряд затвора 60 нКл визначають швидкість перемикання та теплові втрати. Напруга затвор-джерело ±20 В забезпечує надійне керування каналом.