Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBC40LCPBF, 600В, 3,9А, TO220AB (набір 20 шт.)
3 520 ₴
- В наявності
- Код: TM019122
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBC40LCPBF, 600В, 3,9А, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
3 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBC40LCPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, з максимальною напругою дрена-джерела 600 В. Товар постачається набором із 20 штук у корпусі TO220AB,
- Набір із 20 транзисторів
- Максимальна напруга дрена-джерела 600 В
- Постійний струм дрена 3,9 А
- Імпульсний струм дрена до 25 А
- Розсіювана потужність 125 Вт
- Корпус TO220AB для монтажу в отвори (THT)
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 3,9 А.
Імпульсна потужність
Прилад витримує імпульсний струм дрена до 25 А та має розсіювану потужність 125 Вт.
Зручний монтаж THT
Компонент виконаний у корпусі TO220AB для монтажу в отвори (THT).
Електричні параметри керування
Напруга керування затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 39 нКл. Опір у стані провідності дорівнює 1,2 Ом. Тип транзистора — N-MOSFET з каналом збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 520 ₴