Транзистор N-MOSFET Vishay IRFB9N60APBF, 600В, 5,8А, TO220AB (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів Vishay IRFB9N60APBF типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Компоненти призначені для вивідного монтажу (THT) та роботи в схемах із напругою до 600 В та струмом до 5,8 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 5,8 А
• Розсіювана потужність: 170 Вт
• Корпус: TO220AB
• Монтаж: вивідний (THT)
• Кількість у наборі: 10 шт.

Висока потужність розсіювання

Транзистор розрахований на розсіювання потужності до 170 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високим навантаженням. Максимальний струм дрена становить 5,8 А, а напруга дрена-джерела — 600 В. Такі параметри забезпечують стабільну роботу пристрою в умовах підвищеного енергоспоживання.

Стабільна робота при високих навантаженнях

Прилад є уніполярним N-MOSFET із збагачуваним каналом. Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 49 нКл. Опір у стані провідності дорівнює 0,75 Ом, що впливає на нагрівання компонента.

Зручний вивідний монтаж

Компоненти мають корпус TO220AB та призначені для вивідного монтажу (THT). У наборі постачається 10 штук транзисторів, що зручно для ремонту обладнання або прототипування.