
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF, 75В, 246А, TO220AB (набір 10 шт.)
3 460 ₴
- В наявності
- Код: TM019118
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB, призначений для комутації струму в електронних схемах. Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує зручність для серійного монтажу або створення запасу компонентів.
- Струм стоку до 246 А
- Розсіювана потужність 375 Вт
- Низький опір провідності 2,2 мОм зменшує нагрів
- Напруга стік-витік 75 В
- Корпус TO220AB з монтажем у отвори (THT)
- Комплект із 10 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Прилад розрахований на постійний струм стоку до 246 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із значним споживанням енергії.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 2,2 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.
Зручний монтаж та технологія
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® і має виводи для монтажу в отвори (THT), що спрощує процес пайки на друкованих платах. Корпус TO220AB.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 246 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.2 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 460 ₴
