Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF, 75В, 246А, TO220AB (набір 10 шт.)

3 460 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019118
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF, 75В, 246А, TO220AB (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF, 75В, 246А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
3 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB, призначений для комутації струму в електронних схемах. Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує зручність для серійного монтажу або створення запасу компонентів.

  • Струм стоку до 246 А
  • Розсіювана потужність 375 Вт
  • Низький опір провідності 2,2 мОм зменшує нагрів
  • Напруга стік-витік 75 В
  • Корпус TO220AB з монтажем у отвори (THT)
  • Комплект із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Прилад розрахований на постійний струм стоку до 246 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із значним споживанням енергії.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 2,2 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.

Зручний монтаж та технологія

Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® і має виводи для монтажу в отвори (THT), що спрощує процес пайки на друкованих платах. Корпус TO220AB.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання375 Вт
Максимально допустима напруга стік-витік75 В
Максимально допустимий струм стоку246 А
Опір у відкритому стані (Rds)2.2 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологіяHEXFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 460 ₴