Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7546PBF, 60В, 75А, TO220AB, набір 20 шт.
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM074447
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7546PBF, 60В, 75А, TO220AB, набір 20 шт.В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFB7546PBF у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виводами (THT). Ключові параметри: напруга стік-виток 60 В, струм стоку 75 А, розсіювана потужність 99 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 60 В
- Струм стоку: 75 А
- Розсіювана потужність: 99 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Опір у відкритому стані: 7,3 мОм
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 60 В, а допустимий струм стоку — 75 А. Опір у відкритому стані дорівнює 7,3 мОм.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у стандартному корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється через отвори на платі (THT). Технологія виготовлення HEXFET®.
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів IRFB7546PBF. Символ виробника: IRFB7546PBF. Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 99 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 75 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴