Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7545PBF, 60В, 95А, TO220AB, комплект 20 шт.
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM074446
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7545PBF, 60В, 95А, TO220AB, комплект 20 шт.В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 20 потужних польових транзисторів Infineon IRFB7545PBF у корпусі TO220AB. Це N-канальні MOSFET-транзистори з напругою стік-витік 60 В та струмом 95 А, що мають уніполярну структуру.
- Комплект із 20 транзисторів
- Струм стоку 95 А
- Напруга стік-витік 60 В
- Опір відкритого каналу 5,9 мОм
- Корпус TO220AB для вивідного монтажу
- Технологія HEXFET®
Потужність та струм
Транзистори розраховані на струм стоку 95 А та розсіювану потужність 125 Вт.
Низький опір відкритого каналу
Опір відкритого каналу становить 5,9 мОм.
Технологія HEXFET®
Виріб виготовлений за технологією HEXFET®. Напруга затвор-витік становить ±20 В.
Монтаж та корпус
Транзистори мають корпус TO220AB та призначені для вивідного монтажу (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 95 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.9 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴