Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7540PBF, 60V, 80A, TO220AB (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7540PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB, призначений для комутації та керування навантаженням у електронних пристроях. Комплект складається з 20 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Струм стоку до 80 А
• Напруга стік-витік 60 В
• Розсіювана потужність 160 Вт
• Опір у відкритому стані 5,1 мОм
• Корпус TO220AB для монтажу THT
• Комплект із 20 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку до 80 А та розсіювання потужності до 160 Вт. Це дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високим навантаженням, де потрібна надійна комутація великих струмів.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 5,1 мОм, що характеризується низьким опором у відкритому стані.

Технологія та монтаж

Прилад виготовлений за технологією HEXFET®, що є відомою технологією для силових MOSFET. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), що передбачає монтаж у отвори друкованої плати.

Транзистор Infineon IRFB7540PBF призначений для використання в силових електронних схемах. Набір із 20 штук оптимізує процес складання та забезпечує запас компонентів для серійних проектів.## Полярність та тип каналуТранзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Така конфігурація забезпечує стандартну поведінку при керуванні напругою на затворі, що є типовим для більшості силових комутаційних схем.## Заряд затвораЗаряд затвора становить 88 нКл. Цей параметр впливає на вимоги до драйвера затвора та визначає енергію, необхідну для перемикання транзистора в робочих режимах.