Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7537PBF, 60В, 173А, TO220AB, набір 10 шт.
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM074445
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7537PBF, 60В, 173А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 потужних польових транзисторів Infineon IRFB7537PBF у корпусі TO220AB. Це N-канальні MOSFET-прилади з технологією HEXFET®, розраховані на струм до 173 А та напругу 60 В.
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 173 А
- Потужність розсіювання: 230 Вт
- Опір у стані провідності: 3,3 мОм
- Корпус: TO220AB (монтаж THT)
- Комплектація: 10 шт.
Висока потужність та струм
Транзистори витримують постійний струм стоку до 173 А та розсіюють потужність до 230 Вт.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить лише 3,3 мОм.
Технічні характеристики та комплектація
Компоненти виконані в корпусі TO220AB із типом монтажу THT. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвору — 142 нКл. Канал транзистора є збагачуваним. У комплекті поставляється 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 230 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 173 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴