Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7534PBF, 60V, 195A, TO220AB (набір 10 шт.)
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM074444
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7534PBF, 60V, 195A, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 потужних N-канальних MOSFET-транзисторів Infineon IRFB7534PBF у корпусі TO220AB. Компоненти розраховані на напругу 60 В та струм до 195 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дренаж-виток: 60 В
- Струм дренажу: 195 А
- Розсіювана потужність: 294 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні характеристики
Транзистори мають канал збагачення та технологію HEXFET®. Максимальна розсіювана потужність становить 294 Вт, а опір у відкритому стані — 2,4 мОм. Напруга затвор-виток допустима в межах ±20 В.
Електричні параметри
Компоненти призначені для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO220AB. У комплекті постачається 10 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 294 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 195 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.4 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴