
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7446PBF, 40V, 123A, TO220AB (набір 20 шт.)
2 960 ₴
- В наявності
- Код: TM019117
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFB7446PBF у корпусі TO220AB. Компоненти призначені для силових електронних схем, що потребують високої струмової навантаженості та низького опору в стані відкритості.
- Струм стоку до 123 А
- Низький опір каналу 3,3 мОм
- Корпус TO220AB для монтажу THT
- Технологія HEXFET®
- Набір із 20 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистори витримують постійний струм стоку до 123 А, що дозволяє використовувати їх у потужних імпульсних джерелах живлення та інверторах. Така характеристика забезпечує стабільну роботу пристроїв під значним навантаженням без перегріву.
Низький опір у відкритому стані
Опір каналу в стані провідності становить лише 3,3 мОм. Це мінімізує втрати потужності на нагрівання компонента, підвищуючи загальний ККД електронного пристрою та зменшуючи потребу в масивних радіаторах.
Зручний монтаж та надійність
Компоненти виготовлені за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT). Таке виконання гарантує механічну міцність кріплення та простоту паяння на друкованих платах.
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів IRFB7446PBF. Це вигідне рішення для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується дана модель.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 99 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 123 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
- Ціна: 2 960 ₴
