Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7440PBF, 40V, 208A, TO220AB, комплект 20 шт.

Комплект із 20 потужних N-MOSFET транзисторів Infineon IRFB7440PBF у корпусі TO220AB. Ці напівпровідникові прилади розраховані на високий струм до 208 А та напругу 40 В, що робить їх оптимальним рішенням для силових електронних схем.

• Струм стоку до 208 А для потужних силових схем
• Напруга стік-витік 40 В
• Потужність розсіювання 208 Вт
• Низький опір у відкритому стані 2,5 мОм
• Корпус TO220AB для вивідного монтажу (THT)
• Комплект із 20 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистори IRFB7440PBF забезпечують постійний струм стоку до 208 А, що дозволяє керувати потужними навантаженнями без додаткових паралельних з'єднань. Така характеристика критично важлива для інверторів, контролерів двигунів та систем живлення з високим споживанням енергії.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна потужність розсіювання становить 208 Вт, що вимагає належного теплового режиму. Для стабільної роботи при високих навантаженнях рекомендується використання радіаторів, оскільки корпус TO220AB ефективно відводить тепло від кристала.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 2,5 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Це підвищує загальний ККД пристрою та дозволяє зменшити розміри системи охолодження.

Зручний монтаж та технологія

Компоненти виготовлені за технологією HEXFET® та призначені для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO220AB. Таке виконання спрощує пайку та заміну елементів у прототипах або серійних пристроях, забезпечуючи надійний контакт із друкованою платою.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів IRFB7440PBF, що зручно для масового виробництва або створення кількох пристроїв одночасно.