Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7437PBF, 40V, 250A, TO220AB (набір 10 шт.)
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM074443
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7437PBF, 40V, 250A, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRFB7437PBF. Характеризується напругою стік-витік 40 В та струмом стоку 250 А.
- Струм стоку: 250 А
- Напруга стік-витік: 40 В
- Потужність розсіювання: 230 Вт
- Опір у відкритому стані: 2 мОм
- Корпус: TO220AB
- Кількість у наборі: 10 шт.
Потужність та струм
Транзистор розрахований на максимальний струм стоку 250 А та розсіювану потужність 230 Вт. Ці параметри вказують на високу потужність компонента.
Технічні параметри
Напруга стік-витік становить 40 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 2 мОм. Загальний заряд затвора — 150 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220AB із технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється через отвори (THT). Компонент виготовлений у корпусі TO220AB із технологією HEXFET®. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Загальний заряд затвора — 150 нКл. Тип каналу — збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 230 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 250 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴