Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB5620PBF, 200В, 25А, TO220AB (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFB5620PBF у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на друковану плату (THT) та роботи з напругою до 200 В і струмом до 25 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 200 В
• Максимальний струм стоку: 25 А
• Потужність розсіювання: 144 Вт
• Опір у відкритому стані: 72,5 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Технологія: HEXFET®
• Кількість у наборі: 10 шт.

Технологія HEXFET®

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 200 В, а постійний струм стоку — 25 А. Потужність розсіювання дорівнює 144 Вт. Напруга на затворі обмежена ±20 В.

Електричні параметри

Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 72,5 мОм, що забезпечує ефективну роботу при високих навантаженнях. Загальний заряд затвора (Qg) становить 25 нКл. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®, що впливає на його ключові характеристики.

Комплектація та монтаж

До складу набору входить 10 одиниць транзисторів. Корпус TO220AB передбачає монтаж у отвори (THT), що є стандартним рішенням для багатьох електронних схем.