Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4620PBF, 200В, 25А, TO220AB (набір 10 шт.)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM074442
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4620PBF, 200В, 25А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFB4620PBF у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виводами (THT). Ключові параметри: напруга 200 В, струм 25 А, потужність розсіювання 144 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга: 200 В
- Струм витоку: 25 А
- Потужність розсіювання: 144 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 200 В, а допустимий струм витоку — 25 А. Опір у відкритому стані дорівнює 72,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220AB. Монтаж виконується методом встановлення в отвори (THT). Технологія виготовлення: HEXFET®.
Комплектація
У пакуванні міститься 10 транзисторів IRFB4620PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 144 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 72.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴