Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4610PBF, 100В, 73А, TO220AB, комплект 10 шт.
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM035851
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4610PBF, 100В, 73А, TO220AB, комплект 10 шт.В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4610PBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 73 А
- Потужність розсіювання: 190 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри та канал
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 73 А. Потужність розсіювання становить 190 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 14 мОм, а заряд затвора — 90 нКл. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode).
Корпус, монтаж та технологія
Компонент виготовлений у стандартному корпусі TO220AB із технологією HEXFET®. Монтаж виконується методом виводів у отвори (THT). Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В. Компонент виготовлений за технологією HEXFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 73 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴