Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4510PBF, 100В, 62А, TO220AB, комплект 10 шт.
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM074441
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4510PBF, 100В, 62А, TO220AB, комплект 10 шт.В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4510PBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць, призначених для монтажу на друковану плату (THT).
- Комплект: 10 транзисторів
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 100 В
- Струм стоку: 62 А
- Потужність розсіювання: 140 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 100 В та витримує струм стоку 62 А. Потужність розсіювання становить 140 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 13,5 мОм.
Технологія та конструкція
Прилад виготовлений за технологією HEXFET®. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 58 нКл. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), корпус TO220AB. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode). Тип транзистора — N-MOSFET, полярність — уніполярна. Символ виробника: IRFB4510PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 62 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 13.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴