
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4410PBF, 100V, 96A, TO220AB, комплект 10 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM035850
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 96 А
- Розсіювана потужність: 250 Вт
- Опір у стані провідності: 10 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 100 В та витримує струм дрена до 96 А. Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт. Напруга на затворі обмежена ±20 В, а опір у стані провідності дорівнює 10 мОм.
Технологія та конструкція
Прилад виготовлений за технологією HEXFET®.## Монтаж Заряд затвора становить 0,12 мкКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 96 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴
