Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4310ZPBF, 100V, 127A, TO220AB (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFB4310ZPBF у корпусі TO220AB. Призначені для комутації струму до 127 А при напрузі 100 В.

• Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
• Максимальний струм стоку 127 А
• Напруга стік-витік 100 В
• Потужність розсіювання 250 Вт
• Опір у стані провідності 6 мОм
• Корпус TO220AB, монтаж THT

Висока потужність розсіювання

Транзистори мають потужність розсіювання 250 Вт, що дозволяє використовувати їх у силових схемах із значними навантаженнями. Це забезпечує стабільну роботу пристроїв без перегріву компонентів.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 6 мОм. Таке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання транзистора під час роботи, підвищуючи загальний ККД електронного пристрою.

Зручний монтаж

Компоненти виконані у корпусі TO220AB із технологією монтажу THT (через отвори). Це спрощує процес встановлення на друковані плати та забезпечує надійний механічний контакт.

Технологія HEXFET®

Компоненти виготовлені за технологією HEXFET®, що забезпечує високу ефективність перемикання. Транзистори є уніполярними з каналом типу N (збагачуваний). Максимальна напруга між затвором і витоком становить ±20 В, а заряд затвора — 0,12 мкКл.