Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4310PBF, 100В, 140А, TO220AB, комплект 10 шт.
3 090 ₴
- В наявності
- Код: TM019113
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4310PBF, 100В, 140А, TO220AB, комплект 10 шт.В наявності
3 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4310PBF — це потужний силовий компонент у корпусі TO220AB для монтажу через отвори (THT). Комплект із 10 штук.
- Струм стоку до 140 А
- Напруга стік-витік 100 В
- Розсіювана потужність 330 Вт
- Низький опір відкритого каналу 7 мОм
- Корпус TO220AB з монтажем THT
- Комплект із 10 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор розрахований на струм стоку до 140 А, що дозволяє використовувати його в потужних силових ланцюгах. Підходить для застосувань, що вимагають високої струмової навантаженості.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 330 Вт. Опір у відкритому стані становить 7 мОм.
Зручний монтаж та надійність
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB з технологією виведення THT (скрізь отвори).
Технічні характеристики
Напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 140 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 090 ₴