Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4229PBF, 250V, 46A, TO220AB (набір 10 шт.)
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM074440
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4229PBF, 250V, 46A, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4229PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату. Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Максимальна напруга стік-витік: 250 В
- Струм стоку: 46 А
- Розсіювана потужність: 330 Вт
- Опір відкритого каналу: 46 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Потужність та струм
Транзистор розрахований на максимальну розсіювану потужність 330 Вт та постійний струм стоку 46 А. Напруга стік-витік становить 250 В.
Електричні параметри
Опір відкритого каналу дорівнює 46 мОм. Заряд затвора становить 72 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±30 В. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®.
Монтаж та корпус
Компонент має корпус TO220AB із виводами для монтажу в отвори (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 46 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 46 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴