Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4227PBF, 200В, 65А, 190Вт, TO220AB (набір 10 шт.)

1 860 ₴

  • В наявності
  • Код: TM074438
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4227PBF, 200В, 65А, 190Вт, TO220AB (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4227PBF, 200В, 65А, 190Вт, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4227PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату. Комплект складається з 10 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

  • Максимальна потужність розсіювання 190 Вт
  • Струм стоку до 65 А
  • Напруга стік-витік 200 В
  • Корпус TO220AB для монтажу THT
  • Технологія HEXFET®
  • Комплект із 10 транзисторів

Висока потужність розсіювання

Максимальна потужність розсіювання становить 190 Вт, що дозволяє транзистору працювати в режимах високого навантаження. Максимально допустимий струм стоку — 65 А, що забезпечує комутацію значних струмів у силових ланцюгах.

Висока напруга стік-витік

Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 200 В, що робить його придатним для мереж із підвищеною напругою. Використовується технологія HEXFET®, яка є фірмовим рішенням виробника для оптимізації характеристик MOSFET.

Корпус TO220AB та монтаж THT

Транзистор виконаний у стандартному корпусі TO220AB, який забезпечує ефективне відведення тепла. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що компоненти встановлюються в отвори на друкованій платі та припаюються з іншого боку. Це забезпечує надійний механічний контакт із платою. Такий спосіб монтажу часто використовується в силових елементах, де важлива стійкість до вібрацій. Корпус TO220AB дозволяє кріпити транзистор до радіатора для додаткового охолодження. Це важливо для реалізації повної потужності 190 Вт без перегріву. Максимально допустимий струм стоку 65 А визначає пропускну здатність приладу в відкритому стані. Цей параметр критичний для вибору транзистора в силові ключі. Максимальна напруга стік-витік 200 В вказує на межі робочого діапазону напруги. Перевищення цієї напруги може призвести до пробою переходу. Технологія HEXFET® є фірмовим рішенням Infineon для оптимізації характеристик MOSFET. Вона впливає на швидкість перемикання та ефективність приладу. Комплект із 10 транзисторів зручний для серійного монтажу або заміни компонентів у обладнанні. Це зменшує кількість замовлень при великих обсягах виробництва. Транзистор IRFB4227PBF підходить для інженерів та техніків, які працюють із силовими електронними схемами. Він забезпечує стабільну роботу в умовах високих струмів та напруг. Для повного розкриття характеристик рекомендується ознайомитися з даташитом виробника.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання190 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік200 В
Максимально допустимий струм стоку65 А
Опір у відкритому стані (Rds)26 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологіяHEXFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 860 ₴