Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4115PBF, 150В, 74А, TO220AB, комплект 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4115PBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі TO220AB із технологією HEXFET® та низьким опором у стані провідності. Комплект складається з 10 одиниць.

• Струм стоку 74 А та напруга 150 В
• Потужність розсіювання 380 Вт
• Низький опір у стані провідності 11 мОм
• Технологія HEXFET® та корпус TO220AB
• Комплект із 10 транзисторів
• Тип монтажу THT (скрізний)

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку до 74 А та напругу стік-витік 150 В. Потужність розсіювання становить 380 Вт, що дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із значними навантаженнями.

Низький опір та швидкість перемикання

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 11 мОм. Загальний заряд затвора становить 77 нКл. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент має тип монтажу THT (скрізний монтаж). Поставка в комплекті з 10 штук.