Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4020PBF, 200V, 18A, TO220AB (набір 10 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM074437
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4020PBF, 200V, 18A, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4020PBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 200 В та струм 18 А. Товар постачається набором із 10 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на плату.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дренаж-витік: 200 В
- Струм дренажу: 18 А
- Розсіювана потужність: 100 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дренаж-витік 200 В та струм дренажу 18 А. Максимальна розсіювана потужність становить 100 Вт, а опір у стані провідності — 0,1 Ом.
Керування та технологія
Прилад виготовлений за технологією HEXFET®. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 18 нКл. Корпус TO220AB призначений для монтажу на друковану плату (THT).
Комплектація
У пакуванні міститься 10 транзисторів IRFB4020PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴