Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB38N20DPBF, 200В, 44А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM074436
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB38N20DPBF, 200В, 44А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRFB38N20DPBF. Це уніполярні компоненти з корпусом TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Напруга дрена-джерела 200 В
- Струм дрена 44 А
- Потужність розсіювання 320 Вт
- Корпус TO220AB для монтажу THT
- Технологія HEXFET®
- Набір із 10 транзисторів
Технічні характеристики
Транзистори мають напругу дрена-джерела 200 В та струм дрена 44 А. Потужність розсіювання становить 320 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 54 мОм, а заряд затвора — 60 нКл.
Особливості конструкції
Компоненти виготовлені за технологією HEXFET®. Канал збагачуваний, напруга затвор-джерело становить ±30 В. Монтаж виконується методом THT (through-hole technology).
Комплектація
У пакуванні знаходиться 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 320 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 44 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 54 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴