Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3607PBF, 75В, 80А, TO220AB, комплект 20 шт.

Комплект із 20 потужних N-канальних MOSFET-транзисторів Infineon IRFB3607PBF у корпусі TO220AB. Призначені для силових схем із навантаженням до 80 А та напругою до 75 В. Виготовлені за технологією HEXFET®, що забезпечує низький опір у відкритому стані та ефективне розсіювання тепла.

• Струм стоку до 80 А для потужних навантажень
• Напруга стік-витік 75 В
• Низький опір у відкритому стані 9 мОм
• Потужність розсіювання 140 Вт
• Корпус TO220AB для монтажу на плату (THT)
• Комплект із 20 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистори витримують постійний струм стоку до 80 А, що робить їх придатними для керування потужними двигунами, інверторами та блоками живлення. Максимальна напруга стік-витік становить 75 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Це дозволяє використовувати компонент у широкому спектрі промислових та побутових електронних пристроїв.

Ефективність та тепловий режим

Завдяки технології HEXFET® опір у стані провідності (Rds(on)) становить лише 9 мОм. Такий низький опір мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи. Потужність розсіювання досягає 140 Вт, що потребує обов’язкового використання радіаторів для стабільної роботи при високих навантаженнях.

Зручність монтажу та комплектація

Компоненти виконані у стандартному корпусі TO220AB із виводами для монтажу на плату (THT). Це спрощує процес пайки та інтеграції в існуючі схеми. Комплект із 20 штук зручний для серійного виробництва або ремонту обладнання, де потрібно замінити кілька транзисторів одночасно. Транзистори є уніполярними з каналом збагачення, що забезпечує стабільну роботу в ключових режимах. Заряд затвора становить 56 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.