Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307ZPBF, 75В, 120А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM074435
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307ZPBF, 75В, 120А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 потужних польових транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IRFB3307ZPBF. Компоненти мають напругу дренаж-виток 75 В та струм дренажу 120 А.
- Напруга дренаж-виток: 75 В
- Струм дренажу: 120 А
- Розсіювана потужність: 230 Вт
- Опір у стані провідності: 5,8 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну розсіювану потужність 230 Вт, струм дренажу 120 А та напругу дренаж-виток 75 В.
Опір та заряд затвора
Опір у стані провідності становить 5,8 мОм, а заряд затвора — 79 нКл.
Корпус, монтаж та комплектація
Компоненти виконані у корпусі TO220AB з технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT). У комплекті постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 230 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴