Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207ZPBF, 75V, 120A, TO220AB — набір 10 шт.
2 560 ₴
- В наявності
- Код: TM035849
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207ZPBF — це потужний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB, призначений для комутації високих струмів. Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту обладнання.
- Струм дренажу: 120 А
- Напруга дренаж-джерело: 75 В
- Розсіювана потужність: 300 Вт
- Опір у стані провідності: 4,1 мОм
- Корпус: TO220AB (монтаж THT)
- Комплектація: 10 шт.
Висока потужність та струм
Прилад розрахований на постійний струм дренажу до 120 А та розсіювання потужності 300 Вт. Це дозволяє використовувати транзистор у силових ланцюгах із високими навантаженнями, де потрібна надійна комутація без перегріву.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить лише 4,1 мОм. Таке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.
Зручний монтаж та технологія
Компонент виготовлений за технологією HEXFET® та має виводи для монтажу на плату (THT). Корпус TO220AB забезпечує зручне кріплення до радіатора для ефективного відведення тепла.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.1 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
- Ціна: 2 560 ₴