Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3206GPBF, 60V, 150A, TO220AB, набір 10 шт.

Набір із 10 потужних N-MOSFET транзисторів Infineon IRFB3206GPBF у корпусі TO220AB. Компоненти розраховані на струм до 150 А та напругу 60 В, що робить їх придатними для силових електронних схем.

• Струм стоку до 150 А
• Напруга стік-виток 60 В
• Розсіювана потужність 300 Вт
• Опір у стані провідності 3 мОм
• Корпус TO220AB для монтажу THT
• Набір із 10 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистори витримують постійний струм стоку до 150 А та розсіюють потужність до 300 Вт. Це дозволяє використовувати їх у потужних інверторах, джерелах живлення та системах керування двигунами без ризику перегріву при правильному охолодженні.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить всього 3 мОм. Таке низьке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.

Зручний монтаж та технологія

Компоненти виготовлені за технологією HEXFET® та мають корпус TO220AB для монтажу на плату (THT). Стандартний корпус забезпечує зручність пайки та можливість кріплення радіатора для відведення тепла.

Параметри керування затвором

Максимальна напруга затвор-виток становить ±20 В, а заряд затвора — 0,12 мкКл. Ці характеристики спрощують підбір драйвера затвора та забезпечують стабільну роботу транзистора в ключових режимах.