Транзистор N-MOSFET Infineon IRF8734TRPBF, 30V, 21A, SO8, набір 20 шт.
3 180 ₴
- В наявності
- Код: TM019107
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF8734TRPBF, 30V, 21A, SO8, набір 20 шт.В наявності
3 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF8734TRPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 30 В та струм 21 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 21 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні параметри для силових схем
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 30 В та витримує струм дрена 21 А. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт. Тип каналу — збагачуваний.
Компактний корпус для монтажу на платі
Компонент виконаний у корпусі SO8 із технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється методом SMD.
Зручна комплектація для серійного виробництва
Товар постачається набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 180 ₴