Транзистор N-MOSFET Vishay IRF840LCPBF, 500 В, 5,1 А, 125 Вт, TO220AB, набір 10 шт.
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM074434
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF840LCPBF, 500 В, 5,1 А, 125 Вт, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Vishay IRF840LCPBF у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виведеннями (THT). Ключові параметри: напруга 500 В, струм 5,1 А та потужність розсіювання 125 Вт.
- Напруга витоку-джерела: 500 В
- Струм витоку: 5,1 А (імпульсний до 28 А)
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набір із 10 транзисторів
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 500 В, а постійний струм витоку — 5,1 А. У імпульсному режимі струм може досягати 28 А. Напруга на затворі обмежена ±30 В, а опір у відкритому стані дорівнює 0,85 Ом.
Теплові параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 125 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла. Товщина радіатора для цього корпусу TO220AB варіюється від 1,14 до 1,4 мм.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 850 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴