Транзистор N-MOSFET Vishay IRF820APBF, 500В, 2,5А, TO220AB, набір 10 шт.
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM035847
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF820APBF, 500В, 2,5А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Vishay IRF820APBF у корпусі TO220AB. Компоненти призначені для монтажу на друковані плати (THT) та мають максимальну напругу стік-витік 500 В.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 500 В
- Струм стоку: 2,5 А (імпульсний до 10 А)
- Розсіювана потужність: 50 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення типу. Номінальний струм стоку становить 2,5 А, а імпульсний струм може досягати 10 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 50 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється виводами в отвори друкованої плати (технологія THT).
Комплект поставки
Увага: товар продається набором із 10 штук. Символ виробника: IRF820APBF. Напруга затвор-витік: ±30 В. Заряд затвору: 17 нКл. Опір у стані провідності: 3 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 50 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴