Транзистор N-MOSFET Infineon IRF8010PBF, 100В, 80А, TO220AB, комплект 10 шт.
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM074431
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF8010PBF, 100В, 80А, TO220AB, комплект 10 шт.В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF8010PBF — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 80 А при напрузі 100 В. Товар постачається комплектом із 10 штук у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-сорс: 100 В
- Струм стоку: 80 А
- Розсіювана потужність: 260 Вт
- Опір у відкритому стані: 15 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 штук
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-сорс 100 В та витримує постійний струм стоку 80 А. Максимальна розсіювана потужність становить 260 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 15 мОм.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією HEXFET®. Корпус TO220AB та тип монтажу THT (навісний). Напруга затвор-сорс обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 81 нКл. Канал транзистора — збагачення, полярність — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 260 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴