Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7853TRPBF, 100 В, 8,3 А, SO8 (набір 10 шт.)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM074430
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7853TRPBF, 100 В, 8,3 А, SO8 (набір 10 шт.)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7853TRPBF — це напівпровідниковий прилад у корпусі SO8 для SMD-монтажу. Комплект складається з 10 елементів. Максимальна потужність розсіювання кожного транзистора становить 2,5 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 8,3 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Прилад працює з максимально допустимою напругою стік-витік 100 В та витримує струм стоку до 8,3 А. Ці характеристики визначають робочий діапазон транзистора в електричних схемах.
Корпус та технологія
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі SO8. Таке виконання призначене для поверхневого монтажу (SMD) на друковані плати.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.3 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴