Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7842TRPBF, 40В, 18А, SO8 (набір 20 шт.)
3 380 ₴
- В наявності
- Код: TM019105
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7842TRPBF, 40В, 18А, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
3 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7842TRPBF — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для комутації у електронних схемах. Модель розрахована на напругу 40 В та струм 18 А,. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 40 В
- Струм дрена: 18 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні параметри та потужність
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 40 В та витримує струм дрена 18 А. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SO8,. Монтаж здійснюється за технологією SMD (поверхневий монтаж),.
Технологія та комплектність
Виробник використовує технологію HEXFET®,. У комплекті постачається 20 шт. компонентів,. Виробник: Infineon Technologies.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 380 ₴