Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7832TRPBF, 30В, 20А, SO8, комплект 20 шт.
2 800 ₴
- В наявності
- Код: TM035846
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7832TRPBF, 30В, 20А, SO8, комплект 20 шт.В наявності
2 800 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7832TRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект із 20 штук у корпусі SO8.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Струм стоку: 20 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні параметри для комутації
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 20 А. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи пристрою.
Технологія та монтаж
Використання технології HEXFET®. Корпус SO8 та тип монтажу SMD.
Комплектація
У пакуванні міститься 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 800 ₴