Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7416TRPBF, -30В, -10А, SO8, комплект 20 шт.
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM035845
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7416TRPBF, -30В, -10А, SO8, комплект 20 шт.В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7416TRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD) та постачається комплектом із 20 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-виток: -30 В
- Струм стоку: -10 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технологія виготовлення: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком -30 В та струм стоку -10 А. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента в складі пристрою.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлено за технологією HEXFET®, що є фірмовим рішенням виробника. Корпус SO8 та тип монтажу SMD.
Комплектація
Товар постачається як набір із 20 транзисторів IRF7416TRPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴