Транзистор N-MOSFET Vishay IRF740SPBF, 400В, 6,3А, D2PAK (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Vishay IRF740SPBF призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі D2PAK (TO263). Ці компоненти розраховані на високу напругу до 400 В та струм у стані провідності 6,3 А, що робить їх придатними для силових схем.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 400 В
• Струм дрена: 6,3 А (імпульсний до 40 А)
• Розсіювана потужність: 125 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Опір у стані провідності: 0,55 Ом
• Заряд затвора: 63 нКл
• Комплектація: набір із 10 штук

Висока напруга та струм

Транзистори мають максимальну напругу дрена-джерела 400 В, що дозволяє використовувати їх у мережевих блоках живлення та інверторах. Номінальний струм дрена становить 6,3 А, а імпульсний струм може досягати 40 А, забезпечуючи надійну роботу під час пікових навантажень.

Потужність та тепловіддача

Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт, що вимагає належного охолодження при експлуатації на повних режимах. Низький опір у стані провідності 0,55 Ом допомагає зменшити теплові втрати та підвищити ефективність пристрою.

Зручний монтаж SMD

Компоненти виконані у корпусі D2PAK (TO263) для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва друкованих плат. Такий формат корпусу забезпечує компактне розміщення.

Параметри керування та заряду

Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В. Загальний заряд затвора становить 63 нКл. Цей параметр визначає енергію, необхідну для перемикання транзистора, що важливо для оптимізації швидкодії та втрат у силових схемах.