Транзистор Infineon IRF7351TRPBF, N-MOSFET x2, 60В, 8А, SO8 — набір 10 шт.
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM074427
Транзистор Infineon IRF7351TRPBF, N-MOSFET x2, 60В, 8А, SO8 — набір 10 шт.В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Infineon IRF7351TRPBF — це комплект із 10 штук подвійних N-канальних MOSFET-транзисторів у корпусі SO8. Призначений для монтажу на поверхню плати (SMD) та роботи в електронних схемах із навантаженням до 8 А.
- Комплект із 10 транзисторів
- Максимальна напруга стік-витік 60 В
- Максимальний струм стоку 8 А
- Потужність розсіювання 2 Вт
- Корпус SO8 для SMD-монтажу
- Технологія HEXFET®
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 8 А. Максимальна потужність розсіювання становить 2 Вт. Канал транзистора — збагачений (enhancement mode), що забезпечує стандартну логіку керування для MOSFET.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі SO8 із технологією HEXFET®. Це дозволяє використовувати їх у пристроях із обмеженою площею друкованої плати. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів Infineon IRF7351TRPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴