Транзистор Infineon IRF7343TRPBF N/P-MOSFET SO8, 55 В, 4,7 А, комплект 20 шт.

Комплект із 20 транзисторів Infineon IRF7343TRPBF типу N/P-MOSFET у корпусі SO8. Ці компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та забезпечують комутацію струму 4,7 А (N-канал) або -3,4 А (P-канал) при напрузі 55 В.

• Комплект із 20 транзисторів
• Корпус SO8 для монтажу SMD
• Напруга стік-витік 55 В
• Струм стіка 4,7 А / -3,4 А
• Потужність розсіювання 2 Вт
• Технологія HEXFET®

Зручний монтаж SMD

Транзистори виготовлені у стандартному корпусі SO8, що дозволяє використовувати їх у пристроях із щільним компонуванням плати. Технологія HEXFET® забезпечує стабільну роботу компонентів у схемах керування живленням.

Електричні параметри

Компоненти мають напругу стік-витік 55 В та струм стіка 4,7 А (для N-каналу) або -3,4 А (для P-каналу). Потужність розсіювання становить 2 Вт, що відповідає типовим навантаженням у малопотужних пристроях.

Канальна структура та опір у відкритому стані

Компоненти мають збагачуваний канал (unipolarny, wzbogacany), що забезпечує стабільне відкривання транзистора. Опір у відкритому стані становить 50 мОм для N-каналу та 105 мОм для P-каналу, що мінімізує втрати енергії при комутації. Максимальна напруга затвор-витік дорівнює ±20 В, що визначає допустимий рівень керуючого сигналу.