Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341TRPBFXTMA1, 55В, 4,7А, SO8 — набір 20 шт.
1 970 ₴
- В наявності
- Код: TM074426
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341TRPBFXTMA1, 55В, 4,7А, SO8 — набір 20 шт.В наявності
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRF7341TRPBFXTMA1. Це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8. Пакет містить 20 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 55 В
- Струм стоку: 4,7 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Канал: збагачуваний
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 55 В. Максимальний струм стоку становить 4,7 А. Ці характеристики визначають робочий діапазон компонента в електричних схемах.
Тип та конструкція
Компонент є польовим транзистором з каналом n-типу (N-MOSFET) та збагачуваним каналом. Корпус SO8 забезпечує компактні розміри та зручність для автоматизованого монтажу технологією SMD.
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.7 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 970 ₴