Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341GTRPBF, 55В, 5,1А, SO8 (набір 10 шт.)
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM074425
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341GTRPBF, 55В, 5,1А, SO8 (набір 10 шт.)В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341GTRPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрена-джерела 55 В та струм дрена 5,1 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 55 В
- Струм дрена: 5,1 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Канал: збагачений
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Технічні параметри
Транзистор має тип N-MOSFET та уніполярну полярність, що визначає його принцип роботи в схемах. Максимальна напруга дрена-джерела становить 55 В, а допустимий струм дрена — 5,1 А. Канал транзистора є збагаченим, що означає відсутність струму в закритому стані без подачі напруги на затвор.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SO8, який є стандартним для поверхневого монтажу (SMD). Монтаж здійснюється методом SMD.
Комплектація
Товар постачається набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴