Комплект із 20 транзисторів Infineon IRF7316TRPBF. Це подвійні P-канальні MOSFET-транзистори в корпусі SO8 для монтажу на поверхню плати (SMD).
- Подвійний P-канальний MOSFET
- Напруга стік-витік: -30 В
- Струм стіка: -4,9 А
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Корпус: SO8 (SMD монтаж)
- Комплект: 20 шт.
Технічні характеристики
Транзистори мають максимальну напругу стік-витік -30 В та струм стіка -4,9 А. Потужність розсіювання становить 2 Вт. Прилади є уніполярними з каналом збагачення.
Корпус та технологія
Компоненти виготовлені за технологією HEXFET®. Корпус SO8.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Технологія | HEXFET® |
| Тип транзизора | Польова |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 140 ₴

