Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7306TRPBF, SO8, -30V, -3,6A, 2W (набір 20 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM074422
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7306TRPBF, SO8, -30V, -3,6A, 2W (набір 20 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7306TRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Товар поставляється набором із 20 одиниць у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -30 В
- Струм стоку: -3,6 А
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до -30 В та витримує струм стоку до -3,6 А. Потужність розсіювання становить 2 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений у корпусі SO8 із використанням технології HEXFET®. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Транзистори IRF7306TRPBF поставляються набором із 20 одиниць.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴