Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7103TRPBFXTMA1, 50В, 3А, SO8 (набір 30 шт.)
2 640 ₴
- В наявності
- Код: TM019100
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7103TRPBFXTMA1, 50В, 3А, SO8 (набір 30 шт.)В наявності
2 640 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7103TRPBFXTMA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для використання в електронних пристроях. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі SO8, що забезпечує зручність для серійного монтажу та прототипування.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 50 В
- Струм дрена: 3 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні параметри для стабільної роботи
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 50 В та витримує струм дрена до 3 А. Ці характеристики визначають робочі межі компонента.
Зручний монтаж SMD у корпусі SO8
Компонент виконаний у стандартному корпусі SO8 із технологією монтажу SMD. Корпус SO8 та монтаж SMD є стандартними для сучасних електронних модулів.
Економія часу при серійному виробництві
Набір складається з 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 50 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 640 ₴