Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7103TRPBF, 50V, 3A, SO8, комплект 30 шт.

Комплект із 30 транзисторів N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRF7103TRPBF. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8, що забезпечує компактність та надійність електронних схем.

• Напруга дрена-джерела: 50 В
• Струм дрена: 3 А
• Потужність розсіювання: 2 Вт
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Технологія: HEXFET®
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Технічні параметри

Транзистори мають напругу дрена-джерела 50 В та максимальний струм дрена 3 А. Потужність розсіювання становить 2 Вт, що дозволяє використовувати їх у схемах із помірним навантаженням. Канал збагачуваний, що є стандартним для більшості застосувань у силовій електроніці.

Технологія та монтаж

Використовується технологія HEXFET®, яка забезпечує ефективну роботу та стабільність характеристик. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж) у корпусі SO8, що спрощує автоматизацію виробництва та економить місце на платі.

Комплектація

У комплекті постачається 30 штук транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання. Така кількість дозволяє виконати кілька проектів або замінити елементи у кількох пристроях без додаткових закупівель.