Транзистор N-MOSFET Vishay IRF644PBF, 250В, 8,5А, 125Вт, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRF644PBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення,. Модель розрахована на напругу дрена-джерела до 250 В та постійний струм дрена 8,5 А. У комплекті постачається 10 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 250 В
• Постійний струм дрена: 8,5 А (імпульсний: 56 А)
• Розсіювана потужність: 125 Вт
• Опір у стані провідності: 0,28 Ом
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектація: набір із 10 транзисторів

Електричні параметри та потужність

Транзистор працює з напругою дрена-джерела (Vds) до 250 В та витримує постійний струм дрена (Id) 8,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 56 А. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт. Напруга на затворі (Vgs) обмежена ±20 В.

Опір та керування затвором

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,28 Ом, що визначає теплові втрати при відкритому транзисторі. Загальний заряд затвора (Qg) становить 68 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB. Тип монтажу — вивідний (THT), що дозволяє встановлювати транзистор у отвори друкованої плати.