Транзистор N-MOSFET Infineon IRF640NSTRLPBF, 200В, 18А, D2PAK — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF640NSTRLPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу SMD. Комплект складається з 20 одиниць, що забезпечує зручність для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.

• Струм стоку 18 А для потужних навантажень
• Напруга стік-джерело 200 В
• Розсіювана потужність 150 Вт
• Корпус D2PAK для монтажу SMD
• Технологія HEXFET® від Infineon
• Комплект із 20 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 18 А та напругу стік-джерело 200 В. Максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт, що дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими навантаженнями.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією HEXFET®, що гарантує стабільні електричні характеристики. Корпус D2PAK та тип монтажу SMD спрощують автоматизоване встановлення на друковані плати, економлячи місце на поверхні.

Застосування

Уніполярний N-MOSFET із каналом збагачення підходить для комутаційних задач у імпульсних джерелах живлення, інверторах та двигунах.