Транзистор N-MOSFET Infineon IRF630NPBF, 200 В, 9,5 А, TO220AB (набір 20 шт.)
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM074417
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF630NPBF, 200 В, 9,5 А, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF630NPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на друковану плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 200 В
- Струм стіка: 9,5 А
- Розсіювана потужність: 82 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: набір із 20 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу стік-витік 200 В та постійний струм стіка 9,5 А. Максимальна розсіювана потужність становить 82 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,3 Ом, а заряд затвора — 23,3 нКл.
Технологія та конструкція
Пристрій виготовлений за технологією HEXFET®. Корпус TO220AB із виводами призначений для монтажу в отвори (THT). Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 82 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴